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厂商型号

BDP 953 E6327 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF Power TRANSISTOR

内部编号

173-BDP-953-E6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:165
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美国加州
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BDP 953 E6327产品详细规格

规格书 BDP 953 E6327 datasheet 规格书
BDP,947,949,953
文档 Copper Wire Bonding 07/Jan/2014
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 500mA, 1V
功率 - 最大 5W
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 PG-SOT223-4
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 200mA, 2A
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 PG-SOT223-4
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 5W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 500mA, 1V
其他名称 BDP 953 E6327CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
增益带宽产品fT 100 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 5000 mW
系列 BDP953
直流集电极/增益hfe最小值 25 at 10 mA at 5 V, 100 at 500 mA at 1 V, 15 at 2 A at 2 V
集电极最大直流电流 3 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 100 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 120 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BDP953E6327HTSA1 SP000010934
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 3 A

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